808nm 300mW 单管封装
半导体激光器单管系列
808nm 300mW 单管
国科所光电激光二极管单管系列产品 SE (Single Emitters) 是基于量子阱外延生长、脊波导结构设计的法布里-珀罗腔半导 体激光器,产品提供丰富的波长选择,多模高功率激光输出,封 装形式多样,并提供光束整形等定制化服务。
技术指标(25℃) |
|
TO56 封装单管 |
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项目 |
参 数 |
单 位 |
GKLD-0808-300mW-02 |
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最小值 |
典型值 |
最大值 |
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光学参数 |
输出功率 |
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- |
300 |
325 |
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激射波长 |
nm |
804 |
808 |
812 |
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光谱宽度 |
nm |
- |
1.0 |
2.0 |
|||
发光区宽度 |
µm |
- |
40 |
- |
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温漂系数 |
nm/℃ |
- |
0.30 |
- |
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快轴发散角 |
deg |
|
26 |
28 |
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慢轴发散角 |
deg |
- |
6 |
8 |
|||
电学参数 |
斜率效率 |
W/A |
|
1.2 |
1.4 |
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阈值电流 |
A |
- |
0.06 |
0. 10 |
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工作电流 |
A |
- |
0.30 |
0.33 |
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工作电压 |
V |
- |
1.80 |
2.00 |
|||
其它参数 |
封装形式 |
- |
TO56 |
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工作温度 |
℃ |
10 ~ 50 |
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存储温度 |
℃ |
-10 ~ 60 |
封装外形图
特性曲线
PIV测试曲线
工作电压 光功率
光谱曲线
1 、 表格中参数均为封装在 TO56 热沉上,25℃测试所得。
2 、 如有更多信息需求请联系晋城市国科半导体研究所。